Команда
Контакти
Про нас

    Головна сторінка


Дослідження польових транзисторів





Скачати 11.89 Kb.
Дата конвертації14.01.2020
Розмір11.89 Kb.
Типреферат

ГУАП

КАФЕДРА № 25

ЗВІТ
ЗАХИЩЕНИЙ З ОЦІНКОЮ

ВИКЛАДАЧ

посаду, уч. ступінь, звання підпис, дата ініціали, прізвище
ЗВІТ ПРО ЛАБОРАТОРНОЇ РОБОТІ
ДОСЛІДЖЕННЯ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРОВ
по курсу: ЕЛЕКТРОНІКА

РОБОТУ ВИКОНАВ

СТУДЕНТ ГР. 2941 Н.А. Нікітін
підпис, дата ініціали, прізвище

Санкт-Петербург2011


Лабораторна робота №3
ДОСЛІДЖЕННЯ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРОВ

1 Мета роботи: вивчення принципу дії, вимір характеристик і визначення основних параметрів польового транзистора з керуючим р-п переходом і польового транзистора з ізольованим затвором.

2 Опис лабораторної установки

Схема дослідження статистичних характеристик польового транзистора з керуючим р-п переходом приведена на малюнку 1.

Малюнок 1 - Схема дослідження статистичних характеристик польового транзистора 2П103Б з керуючим р-п переходом і каналом р-типу

Схема дослідження статистичних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором приведена на малюнку 2.

Малюнок 2 - Схема дослідження статистичних характеристик
МДП-транзистора 2П301А з індукованим (збагаченим) каналом р-типу

Напруги харчування подаються з гнізд джерел стабілізованих напруг Е-1 і Е-2, що мають власну цифрову індикацію і плавні регулювання R 9 і R 10 вихідних напруг відповідно. Вимірювання постійних напруг і струмів в схемах здійснюється за допомогою цифрових тестерів серії MY 6 x. При цьому тестер, який використовується для вимірювання струму, завжди включається послідовно з досліджуваним об'єктом; а тестер, який використовується для вимірювання напруги, завжди включається паралельно з досліджуваним об'єктом.

3 Вимірювальна частина

3.1 Вимірювання статичних характеристик польового транзистора з керуючим р-п переходом

Таблиця 1 - Статичні характеристики польового транзистора з керуючим р-п переходом (КП103Б)

U сі, В I c, мА
U зи = 0 U зи = 0,1 U зи = 0,2 U зи = 0,3 U зи = 0,4 U зи = 0,5 U зи = 0,6 U зи = 0,7 = U зи відступ
0 0 0 0 0 0 0 0 0
-1 0,34 0,33 0,22 0,14 0,08 0,03 0,01 0
-2 0,36 0,35 0,24 0,15 0,09 0,03 0,02 0
-3 0,38 0,36 0,25 0,15 0,1 0,03 0,02 0
-4 0,39 0,37 0,25 0,155 0,11 0,03 0,02 0
-5 0,395 0,38 0,26 0,16 0,11 0,04 0,03 0
-6 0,4 0,385 0,26 0,16 0,12 0,04 0,03 0
-7 0,41 0,39 0,27 0,16 0,125 0,04 0,035 0
-8 0,415 0,4 0,27 0,16 0,13 0,04 0,4 0

Сімейство вихідних характеристик польового транзистора з керуючим р-п переходом представлено на малюнку 3.

Сімейство керуючих параметрів польового транзистора з керуючим р-п переходом представлено на малюнку 4.

3.2 Вимірювання статичних характеристик МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу

Таблиця 2 - Статичні характеристики МДП-транзистора (КП301А)

U сі, В I c, мА

U зи = U зи пір

-2,8 В

U зи = | U зи пір |
+0,5 В
U зи = | U зи пір |
+1 В
U зи = | U зи пір |
+1,5 В
U зи = | U зи пір |
+2 В
U зи = | U зи пір |
+2,5 В
U зи = | U зи пір |
+3 В
0 0 0 0 0 0 0 0
-1 0,2 0,5 0,87 1,44 1,8 2,2 2,4
-2 0,23 0,54 1,03 1,8 2,5 3,1 4,0
-3 0,24 0,6 1,15 1,92 2,8 3,6 4,6
-4 0,25 0,65 1,2 2,01 2,95 3,85 5,0
-5 0,26 0,68 1,2 2,1 3,0 4,0 5,2
-6 0,28 0,7 1,3 2,2 3,2 4,2 5,3
-7 0,3 0,7 1,37 2,3 3,3 4,3 5,5
-8 0,31 0,75 1,4 2,4 3,4 4,4 5,7

Сімейство вихідних характеристик МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу представлено на малюнку 5.

Сімейство керуючих параметрів МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу представлено на малюнку 6.

4 Розрахункова частина

4.1 Розрахунок диференціальних параметрів польового транзистора з керуючим р-п переходом

а) Розрахунок крутизни стокові-затвора характеристики транзистора

де - відносне збільшення струму стоку;
- відносне збільшення напруги між затвором і стоком транзистора

б) Розрахунок внутрішнього опору транзистора змінному струмі

де - відносне збільшення напруги між стоком і витоком транзистора

Ом

в) Розрахунок статичного коефіцієнта посилення транзистора

4.2 Розрахунок диференціальних параметрів МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу

а) Розрахунок крутизни стокові-затвора характеристики транзистора

де - відносне збільшення струму стоку;
- відносне збільшення напруги між затвором і стоком транзистора

б) Розрахунок внутрішнього опору транзистора змінному струмі

де - відносне збільшення напруги між стоком і витоком транзистора

Ом

в) Розрахунок статичного коефіцієнта посилення транзистора

Висновок: в даній лабораторній роботі був вивчений принцип дії двох типів польових транзисторів - транзисторів з керуючим р-п переходом і транзисторів з індукованим каналом р-типу, виміряні їх статичні характеристики та визначено основні параметри.