Команда
Контакти
Про нас

    Головна сторінка


Розрахунок польового транзистора





Скачати 15.64 Kb.
Дата конвертації 28.09.2018
Розмір 15.64 Kb.
Тип реферат

1 Розрахунок вхідний і вихідний характеристики транзистора з використанням моделі Молла - Еберса.


1.1 Розрахунок і побудова вихідних характеристик транзистора


Початкові дані:


  • q = 1,6 * 10 -19 Кл - заряд електрона;

  • n i = 1,5 * 10 10 см -3 - концентрація, при температурі 300 К;

  • А = 1 * 10 -6 см 2 - площа pn переходу;

  • Д n к = 34 см 2 / с - коефіцієнт дифузії електронів в колекторної області;

  • Д рб = 13 см 2 / с - коефіцієнт дифузії дірок в базовій області;

  • L n = 4.1 * 10 -4 м - дифузійна довжина електрона;

  • U Т = 25,8 мВ - температурний потенціал при температурі 300 К;

  • W б = 4,9 мм - ширина базової області;

  • N дб = 1,1 * 10 16 см -3 - донорная концентрація в базовій області;

  • N ак = 3 * 10 17 см -3 - акцепторная концентрація в колекторної області;


(1.1)


U Е - const


-U К = 0; 0.01; 0.05; 0.1; 1; 1.5; 2; 3; 4; 5;


Знаходимо значення I К, потім змінюючи U Е, при тих же значеннях U До знаходимо значення струму.


Таблиця 1.1 - Значення I До при різних значеннях U Е


I До при U Е = 0 В

I До при U Е = 0.005 В

I До при U Е = 0.01 В

I До при U Е = 0.015 В

I До при U Е = 0.02 В

0 0 0 0 0
8.429e-3 5.598e-3 0.021 0.029 0.039
0.023 0.014 0.035 0.043 0.053
6.749 0.028 0.038 0.046 0.056
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057
0.026 0.032 0.039 0.047 0.057

За отриманими даними побудуємо графік залежності представлений на малюнку 1.1



Малюнок 1.1 - Вихідна характеристика транзистора


1.2 Розрахунок і побудова вхідних характеристик транзистора


(1.2)


U Е = 0; 0.01; 0.02; 0.03; 0.04; 0.05; 0.06; 0.07; 0.08; 0.09


U К - const


Таблиця 1.2 - Значення струму емітера при різних значеннях U Е


I Е при U К = 0 В

I Е при U К = -  В

I Е при U К = 0.03 В

0 -0.026 0.057
-0.012 -0.039 0.045
-0.031 -0.057 0.027

Продовження таблиці 1.2


-0.057 -0.084 -3.552e-10
-0.097 -0.123 -0.039
-0.154 -0.181 -0.097
-0.239 -0.265 -0.182
-0.363 -0.390 -0.306
-0.546 -0.573 -0.489
-0.815 -0.841

-0.758


Для побудови вхідний характеристики потрібні значення струму бази


I Б = - (I Е + I К) (1.3)


Таблиця 1.3 - Значення струму бази


I Б [мА]

0 0.021 -0.070

3.954e-3

0.025 -0.066
8.033e-3 0.029 -0.062
0.031 0.052 -0.038
0.070 0.091 4.754e-4
0.128 0.149 0.058
0.213 0.233 0.143
0.337 0.358 0.267
0.520 0.541 0.450
0.788 0.809 0.719

За значеннями струмів і напруг побудуємо залежність струму бази від напруги U БЕ представлену на малюнку 1.2.



Малюнок 1.2 - Вхідні характеристики транзистора


2 Розрахунок концентрації неосновних носіїв


Початкові дані:


2.1 У емітерний області:



де U Е = 0,005B



Малюнок 2.1 - Графік розподілу концентрації від координат в емітерний області


2.2 У базовій області:



U Е = 0.005 В; U К = 1.4 В.


Малюнок 2.2 - Графік розподілу концентрації в базовій області


У емітерний області:


U К = 1.4 В


Малюнок 2.3 - Графік концентрації в колекторної області


3 Розрахунок ефективності емітера


U Е = 0,2 В; U К = 0,1 В


4 Коефіцієнт перенесення струму через базу




5 Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ПРО



де М - коефіцієнт множення струму колектора







6 Статичний коефіцієнт передачі струму в схемі з ОЕ



7 Розрахунок бар'єрної ємності колекторного переходу




де U 0 - порогове напруга переходу




8 Розрахунок h - параметрів


Для обчислення h - параметрів використовуємо характеристики транзистора отримані з використанням моделі Молла - Еберса.



Малюнок 8.1 - Вихідні характеристики транзистора


U КЕ = E K - I K R H,


E K = I K R H + U КЕ,


Е К = 0,057 * 10 + (- 5) = 4,43


Малюнок 8.2 - Вхідні характеристики транзистора



Скористаємося формулами зв'язку між параметрами транзистора при різних включеннях.



9 Диференціальний опір емітерного переходу



10 Розрахунок діфферінцеальной ємності емітерного переходу



11 Розрахунок ефекту Ерлі


При U Е = const, концентрація носіїв у базовій області стає функцією колекторного напруги:

U K

0

0.2

0.4

0.8

1.2

1.4


Малюнок 11.1 - Залежності концентрацій в базовій області:

1 - в залежності від ширини бази, 2 - як функція від прикладеної U K


12 Розрахунок і побудова ФЧХ і АЧХ

12.1 ФЧХ

 змінюємо 0 - 1000 Гц

0

0.1

10

100

200

500

1000

-0.42

-5.465

-21.465

-62.34

-80

-85.2

Малюнок 12.1 - ФЧХ

12.2 АЧХ

При використанні тих же частот

Малюнок 12.1 - АЧХ


Список використаних джерел


1 Л. Росадо «Фізична електроніка та мікроелектроніка» М .: Вища. шк., 1991.-351 с. з мул.

2 І.П. Степаненко «Основи теорії транзисторів і транзисторних схем» изд. 3-е, перераб. і доп. М., «Енергія», 1973.-608с. з мул.

3 Б.С. Гершунский «Основи електроніка» Київ, «Вища школа», 1977, 344с.