Дослідження польових транзисторів

Скачати 11.99 Kb.
Дата конвертації	03.07.2019
Розмір	11.99 Kb.
Тип	реферат

ГУАП

КАФЕДРА № 25

ЗВІТ
ЗАХИЩЕНИЙ З ОЦІНКОЮ

ВИКЛАДАЧ

посаду, уч. ступінь, звання

підпис, дата

ініціали, прізвище

ЗВІТ ПРО ЛАБОРАТОРНОЇ РОБОТІ

ДОСЛІДЖЕННЯ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРОВ

по курсу: ЕЛЕКТРОНІКА

РОБОТУ ВИКОНАВ

СТУДЕНТ ГР.	2941	Н.А. Нікітін
підпис, дата	ініціали, прізвище

Санкт-Петербург2011

Лабораторна робота №3
ДОСЛІДЖЕННЯ ПОЛЬОВИХ ТРАНЗИСТОРОВ

1 Мета роботи: вивчення принципу дії, вимір характеристик і визначення основних параметрів польового транзистора з керуючим р-п переходом і польового транзистора з ізольованим затвором.

2 Опис лабораторної установки

Схема дослідження статистичних характеристик польового транзистора з керуючим р-п переходом приведена на малюнку 1.

Малюнок 1 - Схема дослідження статистичних характеристик польового транзистора 2П103Б з керуючим р-п переходом і каналом р-типу

Схема дослідження статистичних характеристик польового транзистора з ізольованим затвором приведена на малюнку 2.

Малюнок 2 - Схема дослідження статистичних характеристик
МДП-транзистора 2П301А з індукованим (збагаченим) каналом р-типу

Напруги харчування подаються з гнізд джерел стабілізованих напруг Е-1 і Е-2, що мають власну цифрову індикацію і плавні регулювання R 9 і R 10 вихідних напруг відповідно. Вимірювання постійних напруг і струмів в схемах здійснюється за допомогою цифрових тестерів серії MY 6 x. При цьому тестер, який використовується для вимірювання струму, завжди включається послідовно з досліджуваним об'єктом; а тестер, який використовується для вимірювання напруги, завжди включається паралельно з досліджуваним об'єктом.

3 Вимірювальна частина

3.1 Вимірювання статичних характеристик польового транзистора з керуючим р-п переходом

Таблиця 1 - Статичні характеристики польового транзистора з керуючим р-п переходом (КП103Б)

U _сі, В	I _c, мА
U _сі, В	U _зи = 0	U _зи = 0,1	U _зи = 0,2	U _зи = 0,3	U _зи = 0,4	U _зи = 0,5	U _зи = 0,6	U _зи = 0,7 = U _{зи відступ}
0	0	0	0	0	0	0	0	0
-1	0,34	0,33	0,22	0,14	0,08	0,03	0,01	0
-2	0,36	0,35	0,24	0,15	0,09	0,03	0,02	0
-3	0,38	0,36	0,25	0,15	0,1	0,03	0,02	0
-4	0,39	0,37	0,25	0,155	0,11	0,03	0,02	0
-5	0,395	0,38	0,26	0,16	0,11	0,04	0,03	0
-6	0,4	0,385	0,26	0,16	0,12	0,04	0,03	0
-7	0,41	0,39	0,27	0,16	0,125	0,04	0,035	0
-8	0,415	0,4	0,27	0,16	0,13	0,04	0,4	0

Сімейство вихідних характеристик польового транзистора з керуючим р-п переходом представлено на малюнку 3.

Сімейство керуючих параметрів польового транзистора з керуючим р-п переходом представлено на малюнку 4.

3.2 Вимірювання статичних характеристик МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу

Таблиця 2 - Статичні характеристики МДП-транзистора (КП301А)

U _сі, В	I _c, мА
U _сі, В	U _зи = U _{зи пір} -2,8 В	U _зи = \| U _{зи пір} \| +0,5 В	U _зи = \| U _{зи пір} \| +1 В	U _зи = \| U _{зи пір} \| +1,5 В	U _зи = \| U _{зи пір} \| +2 В	U _зи = \| U _{зи пір} \| +2,5 В	U _зи = \| U _{зи пір} \| +3 В
0	0	0	0	0	0	0	0
-1	0,2	0,5	0,87	1,44	1,8	2,2	2,4
-2	0,23	0,54	1,03	1,8	2,5	3,1	4,0
-3	0,24	0,6	1,15	1,92	2,8	3,6	4,6
-4	0,25	0,65	1,2	2,01	2,95	3,85	5,0
-5	0,26	0,68	1,2	2,1	3,0	4,0	5,2
-6	0,28	0,7	1,3	2,2	3,2	4,2	5,3
-7	0,3	0,7	1,37	2,3	3,3	4,3	5,5
-8	0,31	0,75	1,4	2,4	3,4	4,4	5,7

Сімейство вихідних характеристик МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу представлено на малюнку 5.

Сімейство керуючих параметрів МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу представлено на малюнку 6.

4 Розрахункова частина

4.1 Розрахунок диференціальних параметрів польового транзистора з керуючим р-п переходом

а) Розрахунок крутизни стокові-затвора характеристики транзистора

де - відносне збільшення струму стоку;
- відносне збільшення напруги між затвором і стоком транзистора

б) Розрахунок внутрішнього опору транзистора змінному струмі

де - відносне збільшення напруги між стоком і витоком транзистора

Ом

в) Розрахунок статичного коефіцієнта посилення транзистора

4.2 Розрахунок диференціальних параметрів МДП-транзистора з індукованим каналом р-типу

а) Розрахунок крутизни стокові-затвора характеристики транзистора

де - відносне збільшення струму стоку;
- відносне збільшення напруги між затвором і стоком транзистора

б) Розрахунок внутрішнього опору транзистора змінному струмі

де - відносне збільшення напруги між стоком і витоком транзистора

Ом

в) Розрахунок статичного коефіцієнта посилення транзистора

Висновок: в даній лабораторній роботі був вивчений принцип дії двох типів польових транзисторів - транзисторів з керуючим р-п переходом і транзисторів з індукованим каналом р-типу, виміряні їх статичні характеристики та визначено основні параметри.