Дослідження біполярного транзистора МП-40А

Завдання для РГЗ

1. Виписати з довідника параметри транзистора МП - 40А. Намалювати креслення висновків транзистора.

2. Замалювати вхідну і вихідну характеристики транзистора.

3. Намалювати схему із загальним емітером. Визначити графічно h-параметри для схеми із загальним емітером.

4. Намалювати схему із загальним колектором і загальною базою. Розрахувати h-параметри для схем включення із загальним колектором і загальною базою.

5. Аналіз за отриманими результатами.

транзистор колектор схема

Зв'язок між h-параметрів в різних схемах включення

Довідкові параметри транзистора МП - 40А

Промисловістю випускається 4 групи транзисторів МП - 40А - «В, Г, Д, Е» - У довідниках наводяться параметри і характеристики на групу транзистора. Для проведення розрахунку вибираю транзистор групи «Д», тобто транзистор МП - 40А.

Умовне найменування транзистора має 5 елементів

Характеристика транзистора МП-40А: кремінний Сплавний, германієвого р-п-р транзистор, призначений для роботи в підсилювальних і перемикальних схемах. Корпус металевий, герметичний, з гнучкими висновками. Маса транзистора не більше 2 м

Умовне позначення.

Максимально допустимі параметри (гарантуються при температурі навколишнього середовища, Тс = -60 ... + 70 ° С):

Ік max - постійний струм колектора, мА .............................. 20

Ік, і max - імпульсний струм колектора, мА ......................... 150

Uек max - постійна напруга емітер-база, В ............. ....... 5

Uкб max - постійна напруга колектор-база, В ................ 30

Uке max - постійна напруга колектор-емітер, В ............ 30

Pк max - постійна розсіює потужність колектора, мВт ...... 150

при Тс = + 100 ° С ......... 75

Uкб ін - пробивна напруга колектор-база, В ................... 30

Uке і max - імпульсна напруга колектор-база, В .......... .... 30

Uкб і max - імпульсна напруга колектор-емітер, В .......... 30

Допустима температура навколишнього середовища, ° С ............ -60 ... +70

Графічне визначення h-параметрів для схеми із загальним емітером

ΔIб = 0,2 мА

Величини А-параметрів можна визначити за статистичними вхідним і вихідним характеристикам задаючи приріст одному з параметрів. Параметри h11і h 12 визначаються за вхідними характеристиками. Параметри h21 і h22 визначаються по сімейства вихідних характеристик.

Вхідний опір - опір транзистора вхідного току.

Коефіцієнт зворотного зв'язку по напрузі показує, яка частина вихідного сигналу транзистора надходить на його вхід.

Коефіцієнт посилення по струму показує у скільки разів зміна струму 1к більше фіксованого зміни струму Iб.

Вихідна провідність характеризує внутрішнє вихідний опір транзистора.

Включення транзистора по схемі із загальним емітером

Каскад за схемою з ОЕ при посиленні перевертає фазу напруги, тобто між вихідним і вхідним напругою є фазовий зсув 180. Гідність схеми з ОЕ - зручність харчування її від одного джерела, оскільки на колектор і базу подаються живлять напруги одного знака. Недоліки даної схеми - гірші порівняно зі схемою ПРО частотні і температурні властивості. З підвищенням частоти посилення в схемі з ОЕ знижується в значно великій мірі, ніж в схемі з ПРО. Режим роботи схеми ОЕ сильно залежить від температури.

Розрахунок h-параметрів для схеми включення із загальною базою

Дана схема дає значно меншу посилення по потужності і має ще менше вхідний опір, ніж схема з ОЕ. Але за своїми частотним і температурним властивостям вона значно краще схеми ОЕ. Для схеми ПРО фазовий зсув між вихідним і вхідним напругою відсутній, тобто фаза напруги при посиленні не перевертається. Каскад за схемою ПРО вносить при посиленні менші спотворення, ніж каскад по схемі ОЕ.

Розрахунок h-параметрів для схеми включення із загальним колектором

У схемі OK вхідна напруга повністю передається назад на вхід, тобто дуже сильна негативний зворотний зв'язок. Вихідна напруга збігається з вхідним і майже дорівнює йому (вихідна напруга повторює вхідний). Тому даний каскад зазвичай називають емітерний повторювачем.

Найважливіші параметри основних схем включення транзисторів

Аналіз отриманих результатів.

Зведена таблиця отриманих результатів

Вхідний опір h 11 схеми включення транзистора має бути максимальним, цим виключається шунтуючі дію каскаду на попередній вузол. За отриманими вхідним опорам для різних схем включення робимо висновок, що найбільшими значеннями володіє схема ОЕ і ОК. Однак схема ОК забезпечує максимальну негативний зворотний зв'язок. Найменшим вхідним опором h 11 = 5.35 Ом володіє схема з ПРО, що ускладнює її використання з високоомними вихідними джерелами. Дана схема застосовується в основному спільно зі схемою ОК (каскадні схеми включення).

Коефіцієнт зворотного зв'язку h 12 визначає коефіцієнт посилення каскаду по напрузі. Найбільшим коефіцієнт посилення по напрузі, володіє схема ОЕ та ОБ (зворотний зв'язок мінімальна). Схема з ОК має максимальну зворотну негативну зв'язок тому дана схема включення володіє мінімальним посиленням по напрузі.

Коефіцієнт посилення по струму h21. Найменшим посиленням по току має каскад ПРО, найбільшим - каскад з ОК, отже схему з ОК доцільно включати на каскади мають низький вхідний опір (наприклад, генератор струму).

Вихідний опір 1 / h22. Найбільшим вихідним опором володіє схема з ПРО, що ускладнює її використання в схемах мають низький вхідний опір.

Список використаної літератури

1.Транзісторидля апаратури широкого застосування: Довідник / К.М. Брежнєва, Є.І. Гантман, Т.І. Давидова та ін. Під ред. Б.Л. Перельмана. - М .: Радио и связь, 1981. - 656 с .: іл.

2. Жеребцов І.П. Основи електроніки. - 5-е изд., Перераб. і доп. - Л .: Вища школа. Ленингр. отд-ня, 1990. - 352 с: ил.

3. Довідник радіоаматора. - 3-е изд. Під загальною редакцією А.А. Куликівського - М: Госенергоіздат, 1961. - 500 с: ил.